📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本次会议重点讨论 AI 耗材中的六氟化钨(WF6)品种,分析其在先进制程及 HBM 存储芯片中的需求弹性,以及在日本出口管制背景下国内企业的国产替代机会。
行业主线:
- 需求端强劲增长:WF6 是 CVD 和 ALD 沉积的关键前驱体,用量随制程先进程度和堆叠层数线性增加。尤其在 HBM3/HBM4 工艺中,单片用量较传统 DRAM 提升 3-4 倍。
- 纯度升级驱动价值:产品从 5N 向 6N 及 7N 升级,不仅提升良率,且单价显著提高(7N 价格约为 6N 的 1.7-1.8 倍)。
- 供给端格局重塑:日本企业永久关停相关产能导致全球供应紧张,海外库存降至低点,引发价格暴涨。
关键变化与分歧:
- 供应链优势:国内公司在钨粉原材料端具有天然优势,而韩国等海外厂商高度依赖中国原材料。
- 国产化进度:目前国内仅极少数企业能稳定生产 6N 级产品并通过头部存储厂认证,7N 级产品尚处于研发或小批量阶段。
受益方向与风险:
- 受益方向:具备高纯度(6N/7N)量产能力、能迅速填补日本供应缺口且具备产能扩张能力的电子特气龙头。
- 核心风险:监管层对特定标的的关注导致股价波动、下游客户认证进度不及预期、技术替代风险(如钼替代钨)。