📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 高盛首次覆盖英诺赛科 (2577.HK)，给予“买入”评级，12个月目标价 114 港元。报告认为 800V 高压直流 (VDC) 架构将显著驱动氮化镓 (GaN) 在 AI 数据中心电源中的应用，公司凭借 IDM 模式和覆盖 15V 至 1200V 的全面产品组合，处于市场领先地位。
核心观点/结论：
预计 2025-2028 年公司 GaN 营收复合增长率 (CAGR) 将达到 73%。增长主要受三大因素驱动：(1) AI 数据中心对超高功率密度和效率的需求推动 GaN 渗透率提升；(2) 应用场景从快充扩展至汽车（车载充电器、激光雷达）、工业及人形机器人；(3) 产能持续扩张，预计 2029 年底总产能将超过 68k wpm。
经营与财务要点：
- 盈利能力：毛利率预计在 2025 年转正，2026 年提升至 20%，长期目标为 40%，主要受益于规模效应和产品结构向高端应用升级。
- 财务预测：营收预计从 2023 年的 5.93 亿元人民币增长至 2028 年的 62.33 亿元。预计 2027 年开始实现净利润转正，ROE 在 2027 年转正并在 2030 年达到 30%。
- 现金流：自由现金流 (FCF) 预计在 2028 年转正。
催化剂与风险：
- 催化剂：800 VDC 架构的普及、苏州工厂新产能爬坡、规模效应带来的利润率扩张以及人形机器人等新应用落地。
- 核心风险：GaN 市场渗透率低于预期、产品价格竞争加剧、新产能爬坡时间长于预期。