英诺赛科 (2577.HK) 首次覆盖研究报告:800伏直流架构推动氮化镓应用于AI数据中心

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📰 研报摘要

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摘要: 高盛首次覆盖英诺赛科 (2577.HK),评级为“买入”,目标价 114 港元。报告认为公司作为领先的氮化镓 (GaN) 器件供应商,将受益于 AI 数据中心对高功率密度和效率的需求,特别是 800V 直流架构的普及。

核心观点/结论:
预计 2025-28 年 GaN 业务收入年均复合增长率 (CAGR) 为 73%。核心驱动力包括:1) GaN 在数据中心电源中的渗透率上升;2) 应用场景从快充扩展至车载、工业及人形机器人等高价值领域;3) 晶圆产能持续扩张,预计 2029 年底月产能将超 6.8 万片。

经营与财务要点:

  1. 财务预测:主营业务收入预计从 2025 年的 12.1 亿元增长至 2028 年的 62.3 亿元;EBITDA 预计在 2026 年转正并快速增长。
  2. 利润率改善:毛利率预计 2025 年转正,2026 年达到 20%,长期目标约为 40%,主要得益于规模效应降低折旧成本及产品结构向高端应用升级。
  3. 技术优势:采用 IDM 模式,提供 15V 至 1,200V 的全线 GaN 解决方案,能有效降低驱动损耗和开关损耗。

催化剂与风险:

  1. 催化剂:800V 直流架构在 AI 服务器机架中的铺开、苏州工厂新产能上量、人形机器人新兴应用涌现。
  2. 核心风险:GaN 应用普及速度低于预期、行业价格竞争激烈导致 ASP 下降、新产能上量时间延长。