韬定律 V2：半导体 3D 堆叠与逻辑折叠技术解析及产业链影响

摘要： 本次会议重点探讨了“韬定律 V2”及其在先进制程封锁背景下的破局思路，核心在于通过 3D 堆叠和逻辑折叠（门电路垂直堆叠）技术替代单纯的几何微缩，以提升算力效率，目标是在 2031 年达到等效 1.4nm 制程。

行业主线：

1. 技术路径演进：在摩尔定律接近物理极限及 EUV 受限的情况下，产业趋势从平面微缩转向 3D 垂直堆叠，通过缩短走线距离和提升布线资源（如 TSV 硅通孔）来降低延迟。
2. 系统级效率提升：提出通过统一协议（领取总线）、超节点架构以及光互联（H1）来解决芯片间互联的损耗与延迟，实现系统级的性能跃升。

关键变化与分歧：

1. 工程化重点：逻辑折叠相较于普通 3D 堆叠更偏向系统性升级，涉及更细的混合键合间距和更深层的布线资源释放。
2. 光互联迭代：光芯片与光模块的迭代将随超节点的大规模落地而加速，以支持万卡集群的互联需求。

受益方向与风险：

1. 受益方向：国内先进制程晶圆厂、半导体关键设备（刻蚀、薄膜沉积）、EDA 软件、以及光通信产业链。
2. 核心风险：工程化落地节奏不及预期、技术壁垒突破难度高、海外供应链封锁进一步加剧。