📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本次调研聚焦于金刚石散热材料在 AI 芯片高功率器件中的应用及其与培育钻石产业链的关联。核心逻辑在于 AI 芯片散热需求驱动金刚石需求，大尺寸单晶/多晶散热片的量产突破将成为商业化关键拐点。
行业主线：
- 技术路线演进：散热方案由金刚石铜复合材料（过渡方案，导热 600-800）向金刚石单晶/多晶散热片（终极方案，导热 1500-2000）演进。
- 量产瓶颈：当前核心瓶颈在于 4-8 英寸大尺寸散热片的规模化、低成本量产，突破后将带来数十亿级收入增量。
- 工艺路径：主流路径为利用 HPHT 法制备晶种，再通过 CVD 法生长大尺寸晶体。
关键变化与分歧：
- 需求端预期：市场存在两种预期，一是金刚石铜复合材料普及带动上游微粉涨价；二是大尺寸散热片量产实现技术跳跃。
- 产能灵活性：HPHT 与 CVD 产能可在工业级（散热片）与珠宝级（培育钻石）之间灵活切换，培育钻石价格回升有助于增厚企业底层利润。
受益方向与风险：
- 受益方向：具备 HPHT 产能优势的企业、加速布局 CVD 大尺寸量产的公司以及上游设备制造商。
- 核心风险：大尺寸量产技术突破不及预期、AI 芯片散热方案采用路径变化、培育钻石市场价格剧烈波动。