金刚石散热材料与培育钻石调研反馈纪要

摘要： 本次会议分享了关于金刚石产业链的调研反馈，重点分析了金刚石散热材料在 AI 芯片散热领域的潜在应用，对比了高温高压法（HPHT）与化学气相沉积法（CVD）的技术路径，并评估了相关上市公司的产能与技术突破进展。

行业主线：

1. AI 散热需求驱动：英伟达等厂商规划采用金刚石铜复合材料进行散热，其导热效率（600-800单位）显著高于传统铜铝板（300-400单位）。
2. 技术路线演进：短期关注金刚石铜复合材料作为过渡方案；长期关注大尺寸（4-8 英寸）单晶/多晶金刚石散热片的量产突破，被视为终极解决方案。
3. 产能与工艺：中国在 HPHT 产能上具有规模和能效优势，但 CVD 技术在制备大规格产品上更具优势，目前行业核心突破点在于 CVD 的低成本规模化量产。

关键变化与分歧：

1. 量产难度与价值：目前全球尚无公司实现大尺寸金刚石散热片量产，若能突破且实现规模化交易，单片价值极高。
2. 业务协同性：HPHT 和 CVD 设备可灵活切换于工业金刚石和珠宝级培育钻石之间，但近期培育钻石价格波动影响相关公司短期盈利。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 CVD 量产潜力的公司、金刚石铜复合材料供应商、上游高压制备设备厂商。
2. 核心风险：CVD 量产进度低于预期、AI 芯片散热方案变更、培育钻石市场价格持续低迷。