全球存储供需更新与 BOM 成本分析报告

摘要： 本报告更新了全球存储（DRAM, NAND, HBM）的供需模型，预计 2026-2027 年供应将进一步紧张，存储公司将迎来显著的定价上涨及利润高点。同时分析了存储成本上升对终端产品 BOM 的影响及潜在的需求破坏风险。

行业主线：

1. 供应严重短缺：预计 2026 年 DRAM 和 NAND 将出现历史上最严重的短缺之一，主要受服务器相关应用（DDR, LPDDR, HBM, SOCAMM）强劲需求驱动，且产能扩张有限。
2. HBM 市场扩张：上调 2026/27 年 HBM TAM 预测，主要反映来自 GPU 和 ASIC 的需求增长，其中 ASIC 的占比将提升至 33%-36%。
3. BOM 成本压力：存储价格上涨将显著推高智能手机和 PC 的 BOM 成本，预计 2026 年 3 季度 iPhone 和三星 Galaxy S 的存储成本占比将分别升至 23% 和 29%。

关键变化与分歧：

1. 需求结构转移：服务器 DRAM 需求成为主驱动力，而手机和 PC 端的 DRAM/NAND 需求增速因成本上升而放缓甚至持平。
2. 新技术驱动：NVIDIA 的 ICMSP 架构预计将为企业级 SSD（eSSD）创造巨大的新增 NAND 需求。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点关注三星电子、SK海力士、西部数据以及半导体设备商东京电子、Ulvac 和 Disco。
2. 核心风险：终端产品（PC/手机）出现严重的需求破坏；HBM 定价在 2026 年因供应商增加而回落；中国 NAND 厂商的产能扩张影响。