V2 版“韬定律”火线解读电话会纪要

会议纪要 行业研究 / 行业交流纪要 申万: 半导体 中芯国际 (00981.HK) 中芯国际 (688981.SH) 长电科技 (600584.SH)
🔒
登录解锁完整投研深度报告与行情联动: 免费查阅完整机构研报原件、音频转写、五维画像模型与异动监控
立即登录 / 免费注册

📰 研报摘要

查看全文

摘要: 本次电话会重点解读了半导体行业的新指导原则——“韬定律”V2 版。其核心是通过“时间微缩”替代传统的“几何微缩”,利用逻辑折叠(Logic Folding)、UB 统一总线协议和 HiOne 高密度近封装光学 I/O 引擎,在 DUV 受限条件下实现芯片性能的突破,目标在 2031 年使华为芯片性能可与 1.4nm 制程相抗衡。

行业主线:

  1. 技术路径演进:从传统的先进制程堆叠转向“逻辑折叠”技术,通过物理折叠缩短信号传输时间,提升晶体管密度和主频,旨在解决 DUV 工艺下的性能瓶颈。
  2. 系统化算力升级:通过 HiOne 光学引擎实现电光即时转换,打破铜线传输限制,使 AI 算力集群规模可扩展至万卡量级;UB 统一总线则实现全域统一内存管理。

关键变化与分歧:

  1. 设计维度升级:芯片设计需从 2D 平面转向 3D 立体,这对 EDA 工具的布局布线算法、时序分析及 IP 库的定制提出了颠覆性要求。
  2. 核心瓶颈转移:随着逻辑折叠的应用,散热成为最大挑战,单位面积功率密度大幅提升,需通过棋盘式交错排列和新型界面材料解决。

受益方向与风险:

  1. 受益方向:利好国内晶圆代工(定制器件)、先进封装设备与封测(薄膜沉积、晶圆减薄)、光互联(光芯片、激光源)、国产 EDA 及存算一体相关企业。
  2. 核心风险:先进封装对齐精度及良率突破不及预期、散热方案无法有效支撑高功率密度、EDA 工具链改造周期过长。