📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告深入分析了 SLC NAND 闪存的技术特性、市场格局及 AI 驱动下的价值重估机遇。报告认为，随着海外大厂产能向 3D NAND 转移导致 2D SLC 供给收缩，结合 AI 推理场景对高耐久、低时延存储的刚需，SLC NAND 将迎来显著的国产替代空间与价格上行周期。
行业主线：
- 国产替代机遇凸显：SLC NAND 在擦写寿命和稳定性上具有绝对优势。随着铠侠等海外原厂停止部分 TSOP 封装产品供应，行业形成结构性供给缺口，国产厂商迎来替代窗口。
- AI 驱动价值重估：英伟达 GIDS 技术推动 SSD 直连 GPU，AI 推理中的 KV Cache 等业务导致全盘写入量（DWPD）大幅提升，使得 pSLC、pMLC 等高耐久方案需求高速增长。
- 价格趋势强劲：受工业、车规、网通客户补库驱动，2026 年上半年均价涨幅预计达 130%-150%，下半年仍具备 70%-75% 的上行空间。
关键变化与分歧：
- 存储链路重构：从传统的“SSD-DRAM-GPU”链路向“SSD-GPU”直连转变，极大地降低了数据访问时延并释放了 CPU 算力。
- SCM 层级补齐：XL-FLASH 等低时延 SCM 技术在 DRAM/HBM 与传统 NAND 之间建立新层级，精准匹配大模型推理和向量检索场景。
受益方向与风险：
- 受益方向：重点关注具备 SLC NAND 研发能力的存储芯片厂商、存储控制芯片厂商及相关半导体设备供应商。
- 核心风险：AI 算力基建投入低于预期、高端 SLC 产品研发及客户导入进度不及预期、地缘政治影响供应链安全。