韩国存储大扩产，半导体设备需求仍将高增长

摘要： 本报告分析了韩国政府及存储巨头（三星、海力士）的大规模扩产计划，以及美光资本开支的上修情况，认为在 AI 需求驱动下，存储芯片产能扩产与制程升级将带动半导体设备行业进入长期高景气周期。

行业主线：

1. 韩国战略级投资：韩国政府将存储半导体、AI 和 AI 数据中心列为三大支柱，计划总投资规模超 1.3 万亿美元，旨在五年内实现 DRAM 产能翻倍。
2. 存储巨头资本开支上修：美光上调 2026-2027 财年资本开支目标，三星与海力士亦在积极推进大规模晶圆厂建设，预计 2027-2028 年产能将大规模释放。

关键变化与分歧：

1. 订单模式转向长期合约：美光、三星和海力士均开始签署 3-5 年期的长期供货协议（SCA），HBM 产能覆盖率高达 90% 以上，显示下游客户对 AI 驱动的存储需求具有极高确定性。
2. 制程升级驱动需求：DRAM 制程正从 HKMG 升级至 FinFET（1b $\rightarrow$ 1d $\rightarrow$ 7nm），线宽缩小将导致单万片月产能的设备投资强度加速增长。

受益方向与风险：

1. 受益方向：全球存储芯片扩产、逻辑芯片产能持续扩张以及半导体设备厂商的制程升级需求。
2. 核心风险：AI 算力基础设施建设进度低于预期、新技术变革导致现有路径失效。