光芯片产业梳理专题报告

摘要： 本报告对光芯片产业进行了系统性梳理，分析了在 AI 算力驱动下，光模块速率向 800G/1.6T 演进过程中，光芯片作为最高壁垒环节的价值分布、技术路线及供需格局。

行业主线：

1. 价值向高速有源芯片集聚：随着速率提升，光芯片在高端模块中的成本占比升至 50%-70%，其中 EML 等高速有源芯片是核心价值高地。
2. 技术路线并行演进：EML 凭借带宽优势主导中长距场景；硅光技术凭借 CMOS 兼容性和低成本快速渗透，预计 2026 年销售额将首次超过整体市场 50%；TFLN 则被视为 3.2T 时代的潜在主导方案。
3. 模式转型：产业正从传统的 IDM 垂直整合模式向硅光驱动的 Fabless+Foundry 平台化制造模式演进。

关键变化与分歧：

1. InP 衬底成为核心瓶颈：全球磷化铟（InP）衬底产能高度集中且扩产周期长，当前供需缺口超过 70%，直接限制了高端光芯片的产能释放。
2. 国产化进程加速：国内在 25G 以上高速光芯片领域取得突破，但在高端外延技术和 6 英寸 InP 衬底方面仍高度依赖进口。

受益方向与风险：

1. 受益方向：掌握高端 EML 量产能力、实现 InP 衬底国产替代以及率先完成硅光/TFLN 产业化的企业。
2. 核心风险：InP 衬底持续短缺风险、技术路线迭代过快导致产品生命周期压缩、关键设备与材料受地缘政治影响的“卡脖子”风险。