玻璃基板行业深度报告：后摩尔时代的底层技术跃迁

摘要： 本报告系统分析了玻璃基板在后摩尔时代作为先进封装底层技术跃迁的核心作用，旨在解决AI芯片在高性能计算（HPC）场景下，传统有机基板（ABF/BT）在翘曲、热膨胀失配及高频损耗方面的物理瓶颈。

行业主线：

1. 技术替代逻辑：玻璃基板凭借低介电损耗（Df）、可调的热膨胀系数（CTE）以及大尺寸面板化生产潜力，成为替代硅中介层和有机载板的关键路线，可显著提升互连密度并降低成本。
2. 核心工艺流程：产业链涵盖原片制造 $\rightarrow$ TGV成孔（激光诱导深度刻蚀 LIDE 为最优路径）$\rightarrow$ 金属化/镀铜 $\rightarrow$ RDL重布线 $\rightarrow$ 封装验证。
3. 产业化节奏：目前处于方案调试期，预计 2026 年进入中试和小批量验证，2028 年国内外链主方案确认并开始量产。

关键变化与分歧：

1. 巨头布局加速：英特尔、台积电、三星等已展开实质性布局。台积电联合 Ibiden 和群创验证 CoWoS 玻璃基板，英特尔自研玻璃芯基板，量产时间表指向 2027-2028 年。
2. 技术迁移路径：原片环节可通过药用玻璃（高硼硅路线）、显示玻璃等现有技术迁移，其中药用玻璃在 CTE 调控和纯度控制上具备优势。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高硼硅原片能力的企业、拥有超薄玻璃深加工与刻蚀经验的厂商、以及在 TGV 和 RDL 环节实现国产化突破的公司。
2. 核心风险：技术路线被其他方案替代导致资本开支失效；量产良率与成本改善不及预期；关键设备与原片受海外专利及进口约束；产业化需求兑现节奏不确定。