📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本次会议邀请培育钻石领域专家，重点探讨金刚石材料在芯片散热（尤其是 AI 芯片和服务器）中的产业化进展、技术路径（单晶、多晶、铜金刚石）及 CVD 制备设备的开发趋势。
行业主线：
- 高性能散热需求驱动：随着 AI 芯片（如英伟达、AMD）功耗提升，高热导率的金刚石材料成为散热方案核心。目前在军工射频器件领域应用较多，商用服务器领域正处于从样机测试向规模化应用过渡的阶段。
- 技术路径对比：
- 铜金刚石：成本较低，易于量产和成型，但热导率最低（600-800 W/mK）。
- 多晶金刚石：性能与尺寸平衡较好，通过 MPCVD 等工艺可实现 4-8 英寸尺寸，是目前的产业化重点。
- 单晶金刚石：热导率最高（2000 W/mK 以上），但尺寸受限（通常 $\le 1$ 英寸），主要用于极小尺寸高性能芯片。
- 设备自主化关键：CVD（化学气象沉积）是主流制备法。由于生长速度慢、产能需求量大且外部设备成本高，自研设备是降低成本、加快迭代的唯一出路。
关键变化与分歧：
- 商用进展：海外厂商（如 Akash）已在英伟达和 AMD 芯片散热方案中取得突破；国内中科曙光等公司在部分超算中心项目上已有应用尝试。
- 量产时间表：目前多数方案处于小规模测试阶段，尚未实现大规模批量供货，预计 2026 年底至 2027 年初会有更明确的量产信息。
受益方向与风险：
- 受益方向：具备大尺寸高纯度多晶金刚石制备能力、拥有自主 MPCVD 设备研发能力以及能突破大尺寸金刚石加工工艺的厂商。
- 核心风险：大尺寸（如 12 英寸）金刚石加工难度极大，量产进度可能低于预期；设备运营成本过高影响商业化落地。