📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本次会议重点讨论工业金刚石在半导体散热材料领域的应用潜力,特别是针对 AI 芯片(如英伟达新架构)的高散热需求,探讨了从复合材料向单晶金刚石演进的技术路径及国内产业链竞争格局。
行业主线:
- 散热需求升级:金刚石具备极高导热能力,复合金刚石材料导热率可达 700-800 单位,而单晶/多晶金刚石可达 1000-2000 以上,是第四代半导体散热的确定的方向。
- 技术路径分化:目前主流为高温高压法(HPHT)结合 CVD 法生长。产业方向正从金刚石-铜/铝复合材料向性能更优的单晶金刚石散热片演进。
- 市场空间预估:预计到 2030 年,相关散热材料市场规模较大,其中芯片冷板和光模块散热材料是中国公司具备承接能力的重点方向。
关键变化与分歧:
- 产能与工艺突破:国内厂商在 CVD 设备国产化方面取得进展,核心竞争力正由设备拥有量转向工艺突破。
- 战略转型:部分头部企业(如力量钻石)正调整项目方向,从单纯增加高温高压压机转向布局大规模 CVD 工品车间,赌单晶散热的量产可行性。
受益方向与风险:
- 受益方向:具备 CVD 生长能力、能实现单晶金刚石量产且成本可控的厂商;以及能够切入 AI 芯片冷板供应链的供应商。
- 核心风险:单晶金刚石量产良率不足、商业化落地节奏低于预期、培育钻石价格波动影响部分公司基本面。