存储器价格追踪：2026年6月DRAM与NAND均价预测分析

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📰 研报摘要

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摘要： 本报告追踪 2026 年 6 月存储器价格走势，对比 TrendForce 与高盛对 2026 年第三季度 DRAM 及 NAND 均价（ASP）的预测，并据此更新对三星电子的投资观点。

核心数据变化：

  1. DRAM 价格：TrendForce 预测 3Q26 常规 DRAM ASP 环比增长 13-18%。其中 PC DRAM 预计增长 15-20%，服务器 DRAM 预计增长 13-18%，移动端 DRAM 预计增长 8-13%。
  2. NAND 价格：TrendForce 预测 3Q26 NAND ASP 环比增长 10-15%。其中 eSSD 增长强劲（+18-23%），但消费端（eMMC/UFS）增长较为温和（+5-10%）。

边际解读/市场影响：

  1. 价格驱动因素：PC DRAM 价格上涨主因是 OEM 厂商在低库存环境下倾向于维持采购动力，且市场预期 2027 年 DRAM 整体供应将趋紧。
  2. 预期对齐情况：DRAM 的价格预测与高盛对三星电子（SEC）的预期基本一致，但 NAND 的预测值（10-15%）低于高盛此前对 SEC 21% 的增长预期。
  3. 投资结论：高盛维持对三星电子（普通股及优先股）的“买入”评级。

后续关注与风险：
主要风险包括存储器供需关系的重大恶化、智能手机利润率大幅收缩以及移动 OLED 市场份额的损失。