📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本报告深入分析了AI算力需求爆发带动的高带宽存储器(HBM)对存储测试机行业的驱动作用。报告指出,HBM的3D堆叠架构使测试重心前移至KGSD环节,显著提升了测试复杂度与设备需求量,同时强调在国产化率极低的背景下,国内设备商迎来关键的替代机遇期。
行业主线:
- HBM驱动需求量价齐升:AI服务器对高带宽存储的需求促使HBM成为主流。由于HBM采用3D堆叠,测试道数由传统DRAM的3-4道提升至15道以上,存储测试机需求量约为传统DRAM的5-6倍。
- 国产替代空间广阔:目前全球存储测试机市场由爱德万和泰瑞达主导(合计份额约85%),国内国产化率仅8-10%,是半导体设备自主可控的重要短板。
关键变化与分歧:
- 测试环节重心转移:HBM测试重心由传统封装后测试前移至堆叠后的KGSD(Known Good Stacked Die)测试,新增了Logic Die、TSV互连及PHY I/O等复杂测试项。
- 技术门槛提升:HBM对测试机的供电能力(低电压稳压)、时序精度(皮秒级控制)、高并行测试能力及算法提出了极高要求。
受益方向与风险:
- 受益方向:重点推荐具备高速存储测试机布局能力的国产厂商,如长川科技,以及建议关注的精智达、联讯仪器。
- 核心风险:封测设备需求不及预期、国产设备技术研发进度慢于预期、行业竞争加剧导致毛利率下滑。