📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本次交流重点分析了 AI 芯片封装变革中玻璃基板的技术路径、产业链进度及市场空间。玻璃基板通过低 CTE 和高平整度解决大尺寸封装的翘曲与信号损耗问题,旨在替代传统有机载板芯层,预计 2028 年实现规模化量产,远期市场空间巨大。
行业主线:
- 技术驱动力:AI GPU 芯片面积增大导致“面积墙”问题,传统有机基板 CTE 失配引发翘曲,玻璃基板成为解决大尺寸封装可靠性的核心方案。
- 核心工艺 TGV:玻璃通孔(TGV)是关键,包含激光诱导、腐蚀成孔、PVD 种子层溅射、电镀填铜及 CMP 五大环节,其中 PVD 和电镀设备的价值量最高。
- 产业化进程:目前处于从样品到商业化验证的过渡期,核心瓶颈在于加工微裂纹导致的可靠性问题及电镀填铜的空洞缺陷。
关键变化与分歧:
- 技术路线选择:激光诱导腐蚀被视为目前最主流且看好的 TGV 方案,相比激光直接钻孔或等离子刻蚀在成本和性能上更具优势。
- 商业化节点:行业普遍预期 2028 年实现规模化量产,2026 年起主要厂商已产出接近商业化要求的样品。
受益方向与风险:
- 受益方向:具备商业化样品生产能力的厂商(如京东方、沃格光电等)以及高价值量设备供应商(尤其是 PVD 和电镀设备)。
- 核心风险:微裂纹导致的可靠性失效、电镀良率提升不及预期、量产时间表推迟。