AI芯片产能紧缺与新型能源体系建设行业交流纪要

摘要： 本次会议由西部证券电信团队主持，重点讨论了AI上游通胀板块（铜箔、电极箔）、玻璃基板（TGV）、液冷散热及电力设备等多个领域的产业化进展与标的更新。

行业主线：

1. AI上游材料通胀：重点关注HLP铜箔和电极铝箔。HLP铜箔在2027-2028年预计存在约40%的供给缺口，且海外涨价预期强烈；电极箔则受益于AI电容需求增长及国产替代。
2. 玻璃基板（TGV）产业化：玻璃基板正从题材向产业化落地迈进，超快激光微孔设备是核心环节。
3. AI液冷散热升级：英伟达与谷歌方案正向全液冷/冷板方案转移，带动CDU水泵功率升级及散热模组（如VC散热板）需求提升。
4. 电力设备与算力协同：关注特高压设备份额转移带来的订单增长，以及算力租赁与电站资源的“算电协同”布局。

关键变化与分歧：

1. 供给侧紧缺：超级电容活性碳在2027年可能出现万吨级需求缺口，导致价格上涨。
2. 技术路径演进：液冷方案从 In-Row 转向更高效的冷板方案，水泵单价随功率提升而上涨。
3. 客户验证进度：HLP铜箔的国产替代进入关键验证期，部分厂商预期在Q4或明年实现突破。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高阶HLP铜箔产能的厂商、TGV激光设备龙头、高功率液冷水泵供应商、以及具备算力资源稀缺性的电力企业。
2. 核心风险：客户验证周期长于预期、产能扩建进度不及预期、地缘政治影响供应链。