战略小金属铟及其在 AI 光电产业链的应用研究

摘要： 本次分享聚焦于战略小金属铟及其在 AI 时代的增量需求。重点分析了磷化铟（InP）衬底在 AI 光模块光源芯片及热界面材料中的核心作用，探讨了中国在原生铟资源端的垄断地位与在高端衬底制造端的差距，以及通过出口管制构建的产业卡口机会。

行业主线：

1. AI 驱动需求爆发：AI 基建资本开支带动 InP 衬底和热界面材料需求，预计全球原生铟将产生百吨级新增需求，易打破现有供需平衡导致价格上涨。
2. 产业格局极化：中国掌控全球 60%-70% 的原生铟产量，但高端 7N/8N 高纯铟及 6 英寸 InP 衬底被日本企业（如 GS 金属、住友、住友电工）垄断，市场份额超 90%。
3. 地缘战略卡口：中国对铟锭及磷化铟衬底实施出口管制，限制海外厂商原材料供应，为国内企业实现高端衬底国产替代争取时间窗。

关键变化与分歧：

1. 尺寸升级趋势：行业正由 2-4 英寸向 6 英寸商用主流转移，大尺寸产品可降低成本。目前 6 英寸衬底产能极度紧缺，现货价格涨幅剧烈。
2. 技术壁垒高企：高纯铟提纯与大尺寸衬底量产具有高难度，单纯的资本投入难以快速实现突破，国内企业仍处于起步量产阶段。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 InP 衬底量产规划的龙头企业（如云南锗业）；以及生产规模小但铟产品贡献利润弹性高的原生铟生产商。
2. 核心风险：国内 6 英寸衬底量产进度不及预期；出口管制政策变化；下游 AI 资本开支波动。