高盛 2026 年 6 月 DRAM 情绪指标点评

摘要： 本报告发布了 2026 年 6 月的 DRAM 情绪指标，整体指向温和正向（与 4 月持平）。核心逻辑在于 DDR5 价格走势向好，且市场对 2027 年 HBM 的定价预期进一步提升。

核心数据变化：

1. 价格趋势：DDR5 现货价格自 5 月起呈上升趋势（较 5 月 1 日上涨 20%），且较 5 月合约价有 25% 的溢价；DDR4 同样呈温和上涨趋势。
2. 出货与营收：中国智能手机出货量 5 月同比增长 19%，连续两月正增长；韩国 5 月 DRAM 出口额创历史新高，同比增长 370%；南亚科技（Nanya Tech）5 月营收同比大幅增长 730%。
3. 服务器端：台湾服务器 ODM 5 月营收同比增长 53%，主因 AI 服务器出货量爬坡及 ASIC AI 服务器强劲增长。

边际解读/市场影响：

1. HBM 定价预期上调：由于常规 DRAM 价格走强，投资者预期 2027 年 HBM 定价将获得支撑。高盛将三星电子（SEC）2027 年 HBM 定价增长预期从 14% 上调至 44%。
2. 需求端分化：尽管手机出货量短期回升，但预计 2026 年 Q2 出货量将同比下降 14%，主因内存价格上涨抑制终端需求。

后续关注与风险：

1. 关注点：HBM 供需紧缺程度及常规 DRAM 与 HBM 之间的价差扩大情况。
2. 核心风险：内存供需关系严重恶化、智能手机利润率剧烈收缩、移动 OLED 市场份额丢失。