三代半导体成为数据中心高压架构的必然解

摘要： 本报告探讨了 AI 算力需求驱动下，数据中心供电系统向高压架构演进的必然趋势，重点分析了第三代半导体器件（SiC/GaN）在其中的应用逻辑及市场潜力。

行业主线：

1. 高压架构落地：2026 年为数据中心高压架构落地元年，SiC 将统领机房侧（灰区），GaN 将在机柜内（白区）大规模渗透，形成“SiC 左，GaN 右”的格局。
2. 市场空间广阔：预计 2030 年单 MW 数据中心建设对应的 SiC 和 GaN 器件数量分别可达 1.0 万颗和 2.1 万颗，价值量显著。

关键变化与分歧：

1. 演进阶段：供电架构变革经历四个阶段，2026-2030 年间机柜及机房侧将逐步被 800V/±400VDC 系统改造。
2. 短期与长期预期：短期内 800V 边柜过渡架构对 SiC 拉动有限，但随高密度电源转换、集中整流及 SST 需求落地，长期期权价值将得到体现。

受益方向与风险：

1. 受益方向：已实现深度布局且竞争力持续提升的中国第三代半导体产业链公司。
2. 核心风险：800VDC 产业进度不及预期或被 OCP±400V 方案替代；行业竞争加剧导致价格下行；客户认证及订单转化不及预期。