科技板块投资趋势分析：存储供需、高通 HBC 架构与 800V 供电演进

摘要： 本次研究重点分析了 AI 算力驱动下的科技板块投资趋势，涵盖高通的 HBC 架构转型、存储行业的供需紧缺及价格趋势，以及数据中心供电架构向 800V 高压直流演进对第三代半导体的量化影响。

行业主线：

1. 存储行业高兑现度：AI 推理需求驱动 DRAM 和 NAND 持续紧缺，价格处于上行周期，且通过签署长期协议（SA）锁定底价，利润可见度提升。
2. 供电架构代际演进：数据中心单机柜功率提升导致低压架构触顶，驱动供电向 800V 高压直流演进，将分四个阶段（Sidecar 改造、原生 800V、灰区重构、SST 终局）分步落地。
3. 计算架构创新：高通推出 HBC 技术通过 LPDDR 堆栈实现运算单元解耦，旨在规避 CoWoS 封装瓶颈并向全栈 AI 解决方案公司转型。

关键变化与分歧：

1. 价格预期上修：NAND 价格预计到 2026 年底翻倍，HDD 价格涨幅预期由 10% 上修至 30%。
2. 第三代半导体分工：形成“灰区 SiC，白区 GaN”格局，碳化硅主攻高压大功率，氮化镓主攻高频小型化。

受益方向与风险：

1. 受益方向：存储原厂、国产第三代半导体全产业链企业（衬底、外延、器件）、半导体设备（尤其是检测、刻蚀和沉积环节）。
2. 核心风险：存储成本在服务器中占比过高影响部署速度、800V 架构规模化落地节奏低于预期。