碳化硅：AI时代，拥抱碳化硅大周期行业研究报告

摘要： 本报告详细分析了第三代半导体材料碳化硅（SiC）的技术优势、成本走势及其在AI时代的多元应用前景。报告认为，随着衬底价格下挫，SiC在xEV和光伏储能等传统领域渗透率快速提升，同时在AI数据中心供电、先进封装、AI/AR眼镜及无线通信等新兴场景中展现出极高的适配度与价值潜力。

行业主线：

1. 核心技术优势：SiC具备耐高压、耐高温、高频特性，其禁带宽度、热导率等物理参数远优于硅，能显著提升电力转换效率并降低损耗。
2. 成本驱动规模扩张：衬底价格大幅下挫推动应用空间打开，xEV和光伏储能市场复合增长率分别达65.1%和39.0%。
3. AI时代新场景：在AI数据中心PSU中替代硅基器件可提高功率密度；在先进封装中可解决高功耗芯片散热痛点；在AR眼镜中利用高折射率优化显示结构。

关键变化与分歧：

1. 供需格局转换：行业供需关系已从之前的供大于需转向趋于平衡，未来可能出现供应缺口。
2. 技术迭代关键：行业正向8英寸晶圆迈进，但目前切磨抛良率较低，良率突破是产能爬坡的核心。

受益方向与风险：

1. 受益方向：AI基础设施需求、先进封装升级、国产替代进程加速的先发厂商。
2. 核心风险：下游需求增长不及预期、阶段性产能过剩引发价格战、8英寸良率不足、核心设备海外依赖及海外厂商本地化竞争。