DrMOS 缺货机遇与国产导入加速行业交流纪要

摘要： 本次会议重点探讨了 DrMOS（驱动 MOSFET）在 AI 服务器及 GPU 供电领域的全球缺货现状、国产替代的导入进展以及未来技术演进趋势。

行业主线：

1. 产能结构性短缺：海外晶圆厂（如台积电、三星）将 8 寸 BCD 产能转向高利润的 AI 算力芯片先进封装（如 CoWoS），导致 DrMOS 出现不可逆的短期缺货，推动价格上涨及国产替代。
2. 国产替代加速：国内厂商通过与核心客户深度联合开发，在 AI 服务器供电芯片领域已实现高比例替代，并正逐步向其他国内 GPU 厂商及北美市场（AMD、Intel、NVIDIA、Google 等）渗透。

关键变化与分歧：

1. 导入流程严苛：产品进入供应链需经过公司资质审核、样品验证、小批量稳定性验证、大批量验证四个阶段，整体周期通常在一年以上。
2. 技术路线演进：随 AI 芯片功耗提升，DrMOS 电流规格向 120A-140A 演进。为解决空间和效率问题，行业趋势将从平行供电转向垂直供电（Vertical Power Delivery）及模块化集成。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 BCD 工艺联合开发能力且能快速通过 GPU 厂商验证的国产供应商；以及 1.6T 光模块 DSP 带来的新需求增长点。
2. 核心风险：海外代工产能受地缘政治影响；客户验证进度不及预期；垂直供电技术切换节奏不确定。