电子金属材料与 AI 产业链更新交流纪要

摘要： 本次会议重点讨论在 AI 趋势及中日贸易摩擦（稀土禁运）背景下，电子金属材料的涨价逻辑与国产替代机会。核心聚焦于氧化铪 ($\text{HfO}_2$)、氧化锆 ($\text{ZrO}_2$)、氮化铝 (AlN) 及 PTFE 等关键材料在存储芯片、MLCC 和高端 PCB 中的应用及其供应链变化。

行业主线：

1. 禁运驱动材料涨价：受稀土禁运影响，氧化铪等核心材料国际价格大幅飙升，推动国内相关材料厂商的利润弹性及国产替代进程。
2. AI 硬件升级需求：服务器对高性能 MLCC 和高层数 PCB 的需求增加，带动上游纳米氧化锆、特种药水及 PTFE 等电子级材料的价值量提升。

关键变化与分歧：

1. 存储芯片材料突破：氧化铪作为存储芯片的关键介电材料，海外供应商扩产周期长，国内相关产能的投产将形成极强的国产替代逻辑。
2. PCB 供应链关注点转移：讨论重点从传统铜箔向高端药水（M-SAP 工艺）及 PTFE 材料转移，认为其市值规模较小且涨价逻辑与铜箔相似，具备更高弹性。

受益方向与风险：

1. 受益方向：CVD 设备（楚江新材）、高端电容及设备（江海电子、风华高科、三环电子、新一昌）、PCB 材料与药水（光华科技、东岳股份）、电力电子与超级电容（思源电器）。
2. 核心风险：国产材料认证进度不及预期、贸易政策波动导致的需求变化、下游产能投放节奏波动。