士兰微-首次覆盖报告：持续拓宽IDM护城河，SiC与高端模拟多线布局

摘要： 本报告对士兰微进行首次覆盖，给予“买入”评级。公司采用 IDM 模式，专注于硅半导体及化合物半导体，通过在 SiC、GaN 功率器件以及高端模拟芯片的布局，持续强化竞争力，有望受益于 AI 基础设施建设。

核心观点/结论：

1. IDM 模式护城河：公司通过设计、制造、封装一体化，建立起产品品类丰富、生产链条完备的竞争优势。
2. 前沿技术布局：关注 800VDC 供电架构趋势，公司推出的 SiC-MOSFET 等产品已应用于 AI 算力中心电源并实现大批量出货。
3. 产能扩充：6 英寸 SiC 芯片线持续上量，8 英寸 SiC 线已通线（预计 2026 年下半年投产），并规划建设 12 英寸高端模拟电路芯片生产线。

经营与财务要点：

1. 业绩增长：2025 年营收 130.52 亿元（同比 +16.32%），归母净利润 3.99 亿元（同比 +81.27%）；2026 年第一季度营收 35.19 亿元（同比 +17.31%），归母净利润 2.09 亿元（同比 +40.57%）。
2. 产品表现：2025 年应用于汽车、光伏的 IGBT 和 SiC 营收达 32.73 亿元，同比增长 43%。

催化剂与风险：

1. 催化剂：AI 服务器相关产品订单的持续兑现、8 英寸 SiC 生产线正式投产及 12 英寸模拟工艺平台的量产爬坡。
2. 风险：研发或扩产进度不及预期，下游需求波动，半导体行业竞争加剧及地缘政治影响。