📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本次会议围绕AI芯片封装中的玻璃基板（Glass Substrate）展开，重点探讨了其加工流程（TGV打孔、填铜、布线）、量产时间表以及国内外竞争格局。专家指出，玻璃基板旨在替代传统硅中介层或ABF载板，目前正处于从技术验证向量产转移的初步阶段。
行业主线：
- 产业化进程：2026年被视为量产转移的元年，但距离大规模量产仍有2-3年差距。
- 工艺流程：分为前端原片供应、中端玻璃加工（TGV打孔 $\rightarrow$ 填铜 $\rightarrow$ 布线）及后端应用。
- 核心技术瓶颈：重点在于TGV打孔的深宽比（目前行业水平约20-50:1）、填铜的通孔率以及铜与玻璃的附着力，良率是目前量产的最大挑战。
关键变化与分歧：
- 技术路线：填铜方案分为干法（PVD）和湿法，目前干法技术优势相对较高，但最终胜出仍需时间验证。
- 设备现状：激光打孔设备国产化进展较快（如蒂尔、大族），但PVD沉积等关键设备仍高度依赖海外进口（如应用材料、EQC）。
- 原片差距：国内原片供应商与康宁等海外龙头仍存在2-3年的代差。
受益方向与风险：
- 受益方向：高精度激光打孔设备商、PVD沉积设备商，以及具备规模化加工能力的厂商（如沃格光电、京东方）。
- 核心风险：量产良率提升不及预期、技术迭代导致路线变更、下游顶级客户（台积电、Intel）采用进度延迟。