磷化铟衬底行业专家交流纪要

摘要： 本次会议重点讨论了磷化铟 (InP) 衬底的技术路径、良率瓶颈及产业竞争格局。专家详细分析了从 2/3 英寸向 4/6 英寸大尺寸衬底迁移的紧迫性，以及国内企业在直收率方面与国际龙头的差距。

行业主线：

1. 尺寸升级驱动成本下降：行业正由 2-3 英寸向 4-6 英寸演进。大尺寸衬底能显著提升单片切出的芯片颗数，降低单位成本，是未来竞争的核心。
2. 技术路径分化：国内主流采用 VGF（垂直梯度凝固法），投资较小但一致性较差；海外龙头（如住友）采用 VB/LEC 法，设备昂贵但晶体缺陷小、质量更高。
3. 国产化替代进展：高纯磷、高纯铟等上游原材料已基本实现国产化，不再依赖进口。

关键变化与分歧：

1. 良率差距显著：国内部分厂商（如新耀）的单晶直收率较低（约 7-8%），而行业领先者（如通美）可达 25% 左右，直收率的高低直接决定了企业的毛利率水平。
2. 需求端增长：全球市场需求预计从今年的 200 万片（折 4 英寸）增长至明年的 300 万片，主要驱动力为 5G/6G 通信、激光雷达及光芯片。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备大尺寸（4/6 英寸）量产能力、能够突破热场控制提升直收率，并实现与华为海思等头部客户深度绑定的衬底供应商。
2. 核心风险：大尺寸晶体生长技术突破不及预期、下游 MOCVD 外延产能扩张缓慢、国际贸易出口管制导致订单受限。