📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告分析了光芯片核心衬底——磷化铟（InP）的供需状况，指出在 AI 数据中心需求的推动下，行业面临显著的供需错配，国产替代机遇凸显。
行业主线：
- 核心地位与需求激增：磷化铟是 AI 数据中心光芯片的核心衬底，需求随 800G/1.6T 光模块放量而快速增长，且在可插拔光模块、CPO/NPO 等领域应用广泛。
- 高壁垒与供给瓶颈：行业存在高纯铟原材料限制（受出口管制影响）及 MOCVD、EBL 等核心设备交期长的问题，扩产周期长达 18-36 个月。
关键变化与分歧：
- 供需缺口巨大：2026 年全球需求预计达 260-300 万片，而有效产能仅约 75 万片，缺口维持在 70% 以上。
- 价格大幅上涨：供需紧张导致高端磷化铟衬底价格攀升，6 英寸高端衬底价格涨幅达 250%。
- 竞争格局垄断：市场由日本住友电工、北京通美、日本 JX 三家寡头主导，国内 6 英寸衬底国产化率不足 5%。
受益方向与风险：
- 受益方向：国内磷化铟衬底企业（如云南锗业）加速产能扩充，国产替代进程有望加速。
- 核心风险：下游需求不及预期、研发进展不及预期及地缘政治风险。