📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告深入分析了 DRAM、NAND 及 HBM 内存市场的供需周期，认为在 AI 服务器需求和 Agentic AI 扩展的推动下，内存上行周期将比以往更长且更强，预计供应短缺将持续至 2028 年，从而支撑内存公司的估值倍数扩张。
行业主线：
- 需求结构性升级：AI 服务器的需求已成为核心驱动力，内存需求与服务器资本开支紧密挂钩。尤其是 HBM 在模型性能中的关键作用，使其需求进入高速增长期。
- 供应增长受限：由于产能建设周期长且 HBM 消耗晶圆能力高（比常规 DRAM 高 3-4 倍），导致常规内存的产能增长速度放缓。
- 契约机制变革：长期协议（LTA）的普及，结合预付款和严格的违约条款，增强了盈利可见度并降低了行业的周期性波动。
关键变化与分歧：
- 周期长度预期：报告认为 2027 年的供需状况将比 2026 年更紧张，市场尚未充分意识到本次周期的持久性。
- 定价趋势：预计 HBM 价格将在 2027 年追赶常规 DRAM，驱动 HBM 市场规模（TAM）在 2027 年达到 1160 亿美元。
受益方向与风险：
- 受益方向：重点推荐三星电子、SK海力士和美光科技，认为其在 AI 内存空间的领先地位将带来显著的盈利能力提升。
- 核心风险：内存供需关系恶化、智能手机及 PC 需求疲软、技术迁移延迟以及 AI 相关资本开支低于预期。