📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本报告深入探讨了高带宽存储(HBM)在 AI 算力体系中的核心地位及其技术演进路径。分析指出 HBM 正从“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节,重点分析了 HBM3E 向 HBM4 迭代的性能跃迁、全球存储三大原厂的竞争格局,以及国产存储产业链在设备与封测环节的补位机遇。
行业主线:
- HBM 确立算力底座地位:受 AI 基础设施扩张驱动,HBM 凭借高带宽、高集成优势成为 AI 训练与推理不可或缺的存储方案。
- 代际升级驱动价值量提升:HBM4 将实现位宽升级(2048bit)与带宽突破(2TB/s),单价预计较 HBM3E 提升 50% 以上,推动存储行业进入新上行周期。
- 国产化纵深推进:国产链条在刻蚀、薄膜设备及先进封测(TSV、CoWoS 等)环节加速突破,盈利弹性逐步释放。
关键变化与分歧:
- 竞争格局动态演变:SK 海力士目前在出货量和技术领先地位明显,但三星与美光在 HBM4 研发与客户导入上加速追赶。
- 技术路线分化:美光在 HBM4 规划中引入可定制逻辑基础芯片,旨在通过差异化竞争壁垒强化与 AI 加速器的适配能力。
受益方向与风险:
- 受益方向:重点关注存储设备、存储产品平台化、高端 HBM 封测及国产 HBM 产业链补位方向。
- 核心风险:AI 算力投资节奏不及预期、技术迭代及良率爬坡低于预期、全球存储市场集中度过高导致竞争加剧,以及出口管制等政策不确定性。