📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本报告分析了碳化硅(SiC)行业的最新进展,重点探讨人工智能(AI)数据中心与电动汽车(EV)对需求的驱动作用,以及衬底价格的走势和技术迁移情况。
行业主线:
- AI 驱动新需求:数据中心电源架构从 AC 向 HVDC 迁移,带动 SiC 在 UPS、SST 和 PSU 等环节的应用。预计到 2028 年,数据中心对 SiC 设备 TAM 的贡献约为 4-5 亿美元。
- EV 仍为核心驱动:SiC 渗透率在 15 万人民币左右的车型中快速提升,预计 2026 年中国 SiC EV 出货量将达 400 万辆以上,渗透率升至 20% 以上。
- 技术与产能迁移:行业正由 6 英寸向 8 英寸衬底迁移,但 8 英寸衬底价格受产能增加影响持续下滑。
关键变化与分歧:
- AI 贡献度预期分歧:尽管 AI 带来强情绪,但报告认为其对整体 TAM 的贡献可能低于看多者 20-30% 的预期,预计 2-3 年内仅升至中高个位数百分比。
- 价格动态:6 英寸衬底价格在 1.5k 人民币附近企稳,但 8 英寸衬底价格持续下降,预计 2027 年将降至 2.5-3.5k 人民币。
受益方向与风险:
- 受益方向:能够通过 AI 服务器客户认证并具备 8 英寸量产能力的 SiC MOS 供应商。
- 核心风险:衬底价格持续下跌导致利润承压;AI 应用落地节奏低于预期;电动汽车市场竞争导致 SiC MOS 价格快速下降。