📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告分析了碳化硅（SiC）行业在人工智能（AI）和汽车应用领域的最新进展。核心观点认为，AI 数据中心向 HVDC（高压直流）架构的迁移将为 SiC 带来积极影响，但其对整体器件市场规模（TAM）的贡献率可能低于市场乐观预期（20-30%），预计 2028 年贡献约为 4-5 亿美元。
行业主线：
- AI 驱动新需求：AI 数据中心对高功率密度的需求推动电源架构从 AC 向 HVDC 迁移，SiC 在基础设施（UPS、SST）和服务器（PSU）层面可实现更高效、紧凑的转换。
- 汽车市场维持基石地位：电动汽车 800V 平台的迁移是 SiC TAM 增长的主动力，预计 2026 年全球 SiC 器件 TAM 将达 40-45 亿美元。
- 衬底价格趋势分化：6 英寸衬底价格在 2026 年初趋稳但处于低位；8 英寸衬底价格持续下滑，预计 2027 年将进一步跌至 2.5-3.5k 人民币。
关键变化与分歧：
- AI 器件溢价显著：AI SiC MOS 交付周期已延长至 52 周，其高规格产品的价格至少是同规格汽车逆变器 SiC MOS 的两倍。
- 中国 EV 渗透率提升：受 SiC 价格下降驱动，其应用正扩展至 15 万人民币左右的车型，预计 2026 年中国 SiC EV 出货量将达 400 万辆以上。
受益方向与风险：
- 受益方向：具备 8 英寸量产能力且能通过 AI 服务器客户验证的器件供应商；以及在 8 英寸衬底量产过程中能维持竞争力的头部厂商。
- 核心风险：衬底价格下行压力持续且难以恢复；AI 对 TAM 的实际贡献低于预期；汽车 SiC MOS 竞争加剧导致价格快速下跌。