📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本次会议探讨了华为提出的“韬定律”（τ定律），即通过系统性工程思维突破先进制程限制。重点讨论了在缺乏 EUV 条件下，通过 3D IC 纵向堆叠提升晶体管密度，以解决手机端侧 AI 芯片的性能瓶颈，并分析了由此带来的国产晶圆厂“产能通胀”逻辑及产业链机会。
行业主线：
- 从平面微缩转向纵向堆叠：在 DUV 工艺限制下，国产芯片通过 3D IC（逻辑折叠）在不改变芯片面积和工艺节点的前提下，通过多层堆叠大幅增加晶体管密度，实现性能突破。
- 系统性工程思维：将时间常数 τ 的优化从器件、电路扩展至模组、机架及数据中心，强调通过软硬件适配（如 DeepSeek-V3 的国产化路径）和系统级优化来弥补单颗芯片算力的不足。
关键变化与分歧：
- 手机芯片性能触顶：麒麟 9030 已接近现有工艺极限，预计 2026 年的新一代芯片（麒麟 9040）将采用 3D 封装，晶体管密度有望提升 50% 以上。
- 晶圆厂通胀逻辑：3D 堆叠将导致单颗芯片所需的晶圆等效面积增加，从而在不依赖 EUV 跨代升级的情况下，直接拉动晶圆厂的产能需求增长。
受益方向与风险：
- 受益方向：具备先进制程及 3D 堆叠能力的晶圆厂；TSV（硅通孔）刻蚀、电镀设备及材料商；混合键合（Hybrid Bonding）设备商；以及手机端主动散热方案提供商。
- 核心风险：3D 堆叠带来的热密度激增导致散热挑战大；先进封装量产节奏不及预期；华为产业链协作效率影响市值兑现。