AI服务器VPD电源专家交流纪要

摘要： 本次专家交流聚焦于 AI 服务器 VPD（垂直供电）电源的技术演进与供应链分析，重点探讨了从分立式向模组化转变的驱动因素、关键元器件（MLCC、硅电容、电感）的性能要求以及国内外厂商的竞争格局。

行业主线：

1. 技术路径演进：随着 GPU 功耗向 3000W 及以上提升，电源方案预计从分立式转向模组化以优化空间与效率；IVR（集成电压调节器）及硅电容将成为高端 GPU 供电的未来技术方向。
2. 关键元器件需求：高耐温、高容量的 MLCC 及具有低阻抗、高稳定性的硅电容需求增加；电感趋势向模组化和定制化发展，价值量随之提升。
3. 成本与供应：原材料（铜、银）涨价及模拟芯片设备短缺导致电源相关元器件价格整体上涨。

关键变化与分歧：

1. 模组化临界点：专家认为 3000W 是模组化方案的驱动核心，英伟达在后续架构中可能因空间压力加速转向模组化。
2. 硅电容落地节奏：硅电容在消费电子已有应用，在 AI 服务器端预计 3-5 年后大规模应用，目前三星等厂商已开始承接大额订单。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高端 DrMOS 研发能力及量产经验的厂商（如英飞凌、MPS、奇华特）；能够提供高耐温陶瓷电容或硅电容的供应商（如三星、村田）。
2. 核心风险：国产替代进度低于预期（尤其是硅电容技术差距）；GPU 架构设计变更导致供电方案调整。