金刚石散热产业进展电话会议纪要

摘要： 本次会议重点讨论了在 AI 芯片功耗持续提升（未来可能突破 4400W）背景下，金刚石散热技术的研发进展、技术路径及商业化前景。

行业主线：

1. 散热技术迭代：液冷后的技术路径分为微通道、材料改变（金刚石散热）和冷却液变化（氟化液/两相流）三条主线。
2. 金刚石技术优势：金刚石热导率远高于铜和碳化硅，是应对极高功率芯片散热的核心选择。目前方案包括金刚石-铜/碳化硅复合材料，以及通过 MPCVD 或热丝法制备的纯金刚石薄膜/片。

关键变化与分歧：

1. 产业进度加速：国内企业在纯金刚石方案上已有送样进展，且部分大厂在超节点中尝试金刚石-铜复合方案。
2. 商业化瓶颈：目前核心限制在于单晶金刚石的生长速率导致产能不足，且成本极高（纯金刚石散热成本比纯铜高 10 倍以上）。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 MPCVD 设备扩产能力、能够实现金刚石薄膜量产并成功送样的国内厂商；关注 GPU、光模块（3.2T）及 AI PC 等应用场景的放量。
2. 核心风险：金刚石生长速率提升不及预期、商业化落地节奏慢于预期、成本下降缓慢。