电容：算力时代的“电 RAM”与被动元器件代际跃迁专题研究

摘要： 本报告提出电容正成为继 HBM 之后的算力新瓶颈，被定义为“算力的能量缓冲”（电 RAM）。随着 AI 服务器单机柜功耗突破百千瓦门槛，被动元器件迎来代际跃迁，MLCC、铝电解电容与超级电容形成功能矩阵同步放量。

行业主线：

1. 功耗倍增驱动量价齐升：AI 服务器（如 GB300、VR200）功耗的大幅提升直接导致电容用量呈指数级增长，MLCC、电解电容和超级电容在滤波、储能调峰中协同工作。
2. 电源架构重构：供电技术演进路线由交流 UPS 向 800V HVDC 及 SST（固态变压器）演进，将进一步抬升电容的总价值量和渗透率。
3. 国产化纵深优势：中国在电极箔等上游材料及中游成品环节具备完整产业链能力，具备较强竞争力。

关键变化与分歧：

1. 价值量跃升：VR200 单机柜 MLCC 价值量较 GB300 增加 182%，电容正从“配套环节”转变为“瓶颈卡位”。
2. 超级电容标配化：超级电容在 AI 服务器中从选配变为标配，承担机柜级瞬时调峰，增量弹性最大。

受益方向与风险：

1. 受益方向：高端 MLCC 国产替代、积层箔电容器规模化应用、800V HVDC 与 SST 产业链相关厂商。
2. 核心风险：AI 资本开支不及预期、服务器代际推进缓慢、新型电源架构（SST）渗透低于预期及海外客户认证风险。