国产算力催化下的半导体设备投资观点电话会议纪要

摘要： 本次会议围绕国产算力催化下的半导体设备投资机会展开，重点分析了存储扩产、先进制程突破以及先进封装重要性提升三大核心逻辑，并对量检测、刻蚀、薄膜及新型封装设备等细分环节的国产化进度和市场空间进行了深度拆解。

行业主线：

1. 三大驱动力叠加：存储产业转移、国产算力替代与宏观 AI 基建需求三重叠加，驱动设备端景气度向上，设备厂商订单增速平均已达 50% 以上。
2. 先进封装价值重估：AI 芯片中先进封装价值量占比攀升，与先进制程价值量趋于 1:1。在光刻机制约背景下，通过 2.5D/3D 封装（如 CoWoS）提升性能成为必然路径，带动类前道设备需求。
3. 存储扩产预期上调：长存、长鑫 2026 年扩产预期上调至 15 万片，远期空间约 40 万片，带动刻蚀、薄膜及量检测设备订单释放。

关键变化与分歧：

1. 先进封装认知不足：市场此前低估了先进封装的重要性，其资本开支斜率可能比预期更陡峭。
2. 先进制程技术突破：国内先进逻辑在无 EUV 情况下，通过叠层方案与多重曝光工艺逐步突破，预计 2027 年起扩产速度将加速。

受益方向与风险：

1. 受益方向：壁垒最高、天花板最远的量检测环节；国产化率极低的涂胶显影、离子注入环节；以及混合键合、TCB 等先进封装新型设备。
2. 核心风险：先进制程突破节奏慢于预期、下游资本开支波动、核心设备国产化验证不及预期。