DRAM 扩产趋势明确，持续看好国产半导体设备行业点评

摘要： 本报告分析了 AI 驱动下 DRAM 行业进入新一轮超级景气周期的趋势，重点讨论了长鑫科技的产能扩张及其对国产半导体设备链的带动作用。

行业主线：

1. DRAM 景气度上行：AI 训练与推理、高性能计算及 HBM 需求爆发驱动 DRAM 市场规模快速增长，预计 2025-2030 年复合增长率达 30.56%。
2. 国产扩产驱动：长鑫科技产能规模化释放，通过制程升级和产品结构优化，全球市场份额已提升至 7.67%，带动资本开支维持高位。

关键变化与分歧：

1. 竞争格局演变：全球 DRAM 市场虽高度集中（CR3=91.85%），但长鑫科技作为具备持续份额扩张能力的新进入者，正加速导入 DDR5、LPDDR5 等高端产品。
2. 技术迭代需求：随着制程节点向先进工艺演进，对薄膜沉积、刻蚀、清洗及量检测等核心前道工艺设备需求强度显著提升。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点关注深度受益于“长鑫链”扩张的前道设备及核心零部件厂商，包括平台型设备、刻蚀、薄膜沉积、清洗、量检测及测试设备厂商。
2. 核心风险：宏观经济波动风险、终端需求传导压力、供应链稳定与技术迭代挑战。