全球存储芯片:AI繁荣已至,拥抱全新周期

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📰 研报摘要

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摘要: 野村报告指出全球存储芯片行业已进入由 AI 驱动的结构性增长阶段,预计商品 DRAM、HBM 和 SSD 将迎来“三重超级周期”。AI 需求从训练向推理端转移,结合 Agentic AI 的出现,将导致存储需求在未来五年呈指数级增长,而行业供给增长有限,将导致长期的结构性短缺。

行业主线:

  1. 需求指数级增长:由于用户基数增加、任务复杂化及推理 Token 消耗激增,存储需求增长速度远超供给(供给 CAGR 约 30%)。
  2. 现金流结构转变:通过强约束的长期协议(LTA),存储厂商的现金流将从周期性转变为具有长期稳定性的结构,降低风险溢价并驱动估值重估。
  3. AI 投资自我强化循环:AI 服务商的营收增长将驱动超大规模云服务商(Hyperscalers)增加数据中心资本支出,形成正向投资循环。

关键变化与分歧:

  1. LTA 认知提升:市场开始意识到当前 LTA 包含预付款和资本支出支持,约束力远强于以往周期。
  2. 瓶颈转移:虽然软件优化可减缓增长,但无法逆转趋势。目前主要的瓶颈风险在于美国数据中心的电力供应短缺。

受益方向与风险:

  1. 受益方向:重点推荐三星电子和 SK 海力士,认为其当前估值被严重低估,随着风险溢价降低,目标价将大幅上调。
  2. 核心风险:美国对半导体产品征收关税、电力短缺导致数据中心建设延迟、高利率环境下 AI 资本支出放缓。