全球存储芯片行业周报：NAND价格超预期上涨、三星罢工风险及设备端波动

摘要： 本报告分析了全球存储芯片行业的最新动态，重点探讨了 NAND ASP 的超预期上涨、三星电子潜在罢工对供应的潜在影响，以及韩美半导体 TCB 设备销售不及预期的风险与复苏路径。

行业主线：

1. NAND 价格强劲上涨：Kioxia 的指引显示 NAND ASP 显著上涨，且 2Q CY26 销售指引乐观，暗示全球 NAND 市场存在较高的上行风险。
2. 供应端潜在扰动：三星电子潜在的短期罢工可能影响后端封装区域，可能导致 OEM 和科技巨头在旺季前提前备货，从而推高现货价格。
3. 存储设备端短期波动：韩美半导体 1Q TCB 订单因 SK Hynix 需求减弱而下滑，但随着客户群向 2.5D 逻辑和 HBF 等领域多元化，预计 2H 将复苏。

关键变化与分歧：

1. 价格预期分歧：Kioxia 披露的 ASP 涨幅远高于市场共识，显示出比此前预期更强的价格驱动力。
2. 设备端风险评估：尽管 TCB 销售短期 miss，但分析师认为这是一个可控风险，由于 2028 年新厂产能爬坡，长期增长逻辑未变。

受益方向与风险：

1. 受益方向：受益于 HBM 领导地位及存储价格上涨的厂商（如 SK Hynix）；具备 TCB 设备多元化交付能力的供应商。
2. 核心风险：美国科技巨头 AI 相关资本开支放缓；竞争对手激进的产能扩张；存储周期硬着陆。