三星电子存储业务及先进工艺交流纪要

摘要： 本次交流重点讨论了三星电子存储部门的罢工风险、HBM 产品的技术进展、产能扩张计划以及晶圆代工业务的竞争格局。

核心观点/结论：

1. 罢工影响可控：三星存储部门面临罢工风险（预计 5 月 21 日至 6 月 8 日），但由于自动化程度较高且部分员工会留守，预计产线不会完全瘫痪，整体影响幅度有限，但会对存储价格产生一定支撑。
2. HBM 追赶进度：三星 HBM 低速版已基本追平海力士水平，预计 7 月出货且份额将向平衡状态靠拢；高速版在性能指标上具备竞争力，但受开发时间线影响，良率目前低于海力士。
3. 竞争优势：三星依托“存储 + 晶圆代工”的协同效应，在面对大客户（如英伟达、谷歌）时，比纯存储厂商具备更强的综合竞争力。

经营与财务要点：

1. 产能扩张：今年计划通过技改增加 4 万片 HBM 产能至 18 万片规模；新建厂房的产能释放预计在 2027 年底至 2028 年。
2. 代工能力：4nm 和 5nm 产能分别在 3.7 万片和 5.8 万片；3nm 产能约 1.3 万片，良率在 60% 左右。
3. 价格预判：预判三季度 HBM、传统 DRAM 和 NAND 的涨幅区间在 20% 至 30% 左右。

催化剂与风险：

1. 催化剂：HBM4 低速版量产出货、高速版良率突破、海外 ASIC 订单在 8 月份开始上量。
2. 风险：罢工持续时间超出预期导致产能受损、HBM 高速版良率追赶进度不及预期。