📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要: 本报告追踪 4 月全球存储市场价格走势,指出 DRAM 和 NAND 的合约价格在 2QCY26 将再次出现大幅上涨,涨幅超出此前预期,主要受服务器 AI 需求支撑,但消费端需求受价格上涨影响出现疲软。
核心数据变化:
- DRAM 价格:4 月合约价格普遍上涨,预计 2QCY26 常规 DRAM 合约价环比增长 57%。其中服务器需求最强,PC 和手机端预计走弱。现货价格出现一定程度的整理,服务器 DDR5 模组环比下降 6.7%。
- NAND 价格:预计 2QCY26 合约价环比增长 65-70%,主要由 SSD 和手机 NAND 驱动。4 月 NAND 晶圆现货价格环比下降约 7%。
边际解读/市场影响:
- AI 需求支撑:服务器 DRAM 和 eSSD 的强劲需求导致供应紧张,推动价格上涨。
- 消费端承压:价格快速上涨导致消费者端需求受损,OEM 和模组厂开始减少采购,导致现货价格信号不一。
- LTA 谈判:美国云服务商(CSP)的长期协议(LTA)谈判已接近尾声,后续谈判范围可能扩大至企业和 PC 客户,这将缓解价格回调的影响。
后续关注与风险:
- 趋势预判:预计价格上涨节奏将在 3QCY26 显著放缓;价格预计在 CY27 保持强势,2HCY27 开始回归正常。
- 核心风险:消费端需求下滑超预期、中国存储厂商(如 YMTC)的竞争压力、产能投放节奏波动。