存储板块:AI 驱动下的技术演进与景气周期深度分析

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📰 研报摘要

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摘要: 本资料为广发证券关于存储板块的系列研究综述,核心观点认为 AI 推理应用的快速增长以及对长上下文、大容量存储需求的提升,正驱动存储产业迎来新一轮景气周期。

行业主线:

  1. AI 记忆能力成为核心:AI 从单次推理演进为长期运行的 Agent,使得 Memory(记忆)成为系统底层能力。存储分层架构(HBM $\rightarrow$ DRAM $\rightarrow$ SSD $\rightarrow$ HDD)共同支撑高效计算。
  2. 技术路径迭代加速:包括 HBM4 的量产推进、HBF(高带宽堆叠闪存)在读密集型场景的应用、SRAM 在片上存储的提速,以及 CXL 存储池化技术的渗透。
  3. 硬件形态升级:英伟达 Vera Rubin 平台及 ICMS 架构显著提升了对 eSSD 的容量需求;MRDIMM 和 SPD/VPD 芯片在 DDR5 渗透下空间广阔。

关键变化与分歧:

  1. 供需格局趋紧:受 AI 需求拉动,存储短缺可能持续至 2030 年。DRAM 和 NAND 产能受 HBM 挤压及先进制程迁移影响,供给释放滞后,价格上行弹性大。
  2. 制造模式变革:存储技术向存储-逻辑双晶圆堆叠架构升级(如 CBA 技术),逻辑晶圆有望由 IDM 模式转向代工模式,提升产业协同效率。

受益方向与风险:

  1. 受益方向:高性能存储原厂、先进封装及设备供应商、CXL 互连芯片厂商、以及受益于 DDR5 升级的接口芯片供应商。
  2. 核心风险:AI 产业发展及需求不及预期;AI 服务器出货量低于预期;国产厂商技术和产品进展不及预期。