碳化硅(SiC)行业调研纪要

会议纪要 行业研究 / 行业交流纪要 申万: 半导体 天岳先进 (02631.HK) 天岳先进 (688234.SH) 三安光电 (600703.SH) 斯达半导 (603290.SH)
🔒
登录解锁完整投研深度报告与行情联动: 免费查阅完整机构研报原件、音频转写、五维画像模型与异动监控
立即登录 / 免费注册

📰 研报摘要

查看全文

摘要: 本次调研重点分析了 2026 年碳化硅(SiC)行业的供需格局、AI 服务器电源带来的增量机会以及全球竞争格局。核心观点认为当前行业整体仍处于产能过剩状态,短期价格回升主因渠道低库存补库及 AI 需求挤占产能,而非基本面根本逆转。

行业主线:

  1. AI 电源成为核心增量:5kW 以上 AI 服务器电源将使 SiC 成为必需品,英飞凌凭借二代沟槽栅技术主导市场,导致订单外溢至其他进口品牌。
  2. 竞争格局分化:海外厂商在高端 AI 市场领先,但衬底业务面临中国厂商(如天岳先进)在 8 英寸质量与成本上的挑战;Wolfspeed 在中国器件市场份额基本丧失。
  3. 技术演进方向:SiC 中介层(Interposer)和金刚石 SiC 散热方案被视为解决 AI 芯片散热的潜在方向,其中中介层工艺难度极高,量产预期在 2027 年底。

关键变化与分歧:

  1. 价格走势预期:短期提价由供应链扰动和补库驱动,不具备可持续性,预计 2026 年下半年价格将回落,降价斜率由剧降转为温和。
  2. 产能错位:整体 8 英寸产能过剩,但 AI 需求爆发导致部分代工和封装环节出现紧张,产生价格传导效应。

受益方向与风险:

  1. 受益方向:具备高性能 8 英寸衬底竞争力的厂商、能进入 AI 电源供应链的器件厂商、以及在汽车市场填补份额的国产供应商。
  2. 核心风险:AI 电源渗透率提升不及预期、SiC 中介层技术量产受阻、行业长期产能过剩导致价格持续承压。