天域半导体 (02658.HK) · 投研画像

报告日期：2026年11月11日 (UTC)

财务报告：基于2026年中期报告（截至2026年6月30日止六个月未经审核业绩）及2021—2025年年度报告（经审核完整财年数据）

1. 核心投资逻辑

• 基本面特征分类：「资本开支扩张与周期拐点博弈期」
  • 核心依据：公司作为国内碳化硅（SiC）外延片市占率第一的龙头，正处于东莞生态园新基地投产及向8英寸产线大规模切换的关键期；但在行业深度价格内卷冲击下，2026年上半年毛利率再度由正转负至 -0.35%，账面净现金已恶化至 -13.80 亿元，属于典型的高资本开支、高经营杠杆且承受行业通缩压力的资产。
• 一句话定义：天域半导体是中国出货量最大、技术最早产业化的专业第三方碳化硅外延片制造商，兼具新能源与AI算力底层硬件的成长赛道属性与重资产加工制造业的剧烈周期波动特征。
• 核心看点：
  1. 8英寸大尺寸扩径驱动结构性放量：2026年上半年8英寸外延片收入达1.47亿元（同比+40.5%），占自制外延片收入比重攀升至50%，新一代8英寸生态园基地投产有望通过芯片产出率倍增实现降本破局。
  2. 海外算力与AI数据中心需求催化第二曲线：2026年上半年中国大陆以外收入达6,250万元（同比爆发式增长4,906%），成功借道AI数据中心电源与海外客户切入全球高附加值供应链。
  3. 纵向举牌入股锁定上游核心衬底保障：2026年11月6日公告斥资4亿元人民币受让ST东尼（603595.SH）7%股权，旨在深度绑定6/8英寸导电型衬底供应链协同与材料联合研发。
• 价值驱动属性：公司核心价值驱动主要归因于 行业 β（景气周期与供需平衡）与公司自身 α（8英寸大尺寸量产能力与客户壁垒）的激烈博弈。当前行业β处于全产业链扩产导致的价格通缩底部；公司自身的超额回报潜力则高度依赖能否凭借8英寸良率优势和海外高毛利订单率先实现单片盈利由负转正。
• 商业模式本质：
  • 赚钱模式：依托化学气相沉积（CVD）设备与精密温场调控工艺，向上游采购碳化硅衬底，通过外延生长单晶薄膜后向下游功率器件制造厂销售，赚取“外延生长工艺壁垒、缺陷控制良率与规模化制造成本差”的加工技术溢价。
  • 相对优势：国内首家量产、自制SiC外延片国内市占率超30%（位列全国第一）；具备车规级IATF 16949认证先发壁垒；引入深圳哈勃（华为）、比亚迪等战略股东深度绑定下游生态。
  • 竞争壁垒与颠覆风险：面临“两头挤压”——向上缺乏衬底自产能力（倒逼其出资4亿元举牌东尼电子），向下直面三安光电等全产业链垂直一体化（IDM）厂商自建外延的挤出效应，以及同业第三方厂商（如瀚天天成）的激烈竞价，技术替代与顺价护城河处于持续承压状态。
• 关键假设提示：下游800V高压新能源车与AI数据中心对8英寸SiC器件的采纳速度超预期；8英寸外延生长良率迅速爬坡以摊薄折旧；上游衬底价格回稳且外延片价格战不再恶化。

9. 总结与基本面预期差

核心催化剂、重大舆情与边际拐点（6–12个月）

• 近期重大舆情与资本运作：
  • 2026年11月6日签署协议拟4亿元举牌A股上市公司ST东尼（603595.SH）7%股权，需密切跟踪120个营业日内上交所的合规确认函出具情况及资金支付进展。
  • 公司持续实施每日数十万港元的H股小额股份购回，持作库存股份用于股权激励，需跟踪其回购力度是否具备持续性。
• 行业景气与边际拐点：
  • 关注全球8英寸SiC衬底成本是否跌破平衡点，加速下游车规模块对8英寸外延片的替代导入；排查国内中低端6英寸外延落后产能的出清退出进度。
• 核心催化剂：
  • 2026年年度业绩预告中毛利率是否实现由负转正；东莞生态园基地8英寸出货量能否突破月度关键产出节点；海外AI数据中心电源大厂长期框架合同的正式落地。

一句话定性

当前基本面特征更接近：【处于关键假设验证期的观察标的】

• 核心定性依据：虽然具备国内自制外延片市占第一的领先地位，但当前身处行业价格内卷与毛利倒挂的深水区，且伴随高额负债与流动性枯竭硬伤；该判断对 “8英寸大尺寸能否尽快实现规模良率降本并扭转毛利率为正” 这一关键假设最为敏感。

核心市场预期差

1. 分歧点：市场极度担忧其重资产折旧周期（固定资产28.13亿元）在价格战下演变为“失血黑洞”，加之4亿元跨市场收购ST东尼进一步抽干流动性，对短期业绩扭亏持高度悲观预期。
2. 认知差：市场可能低估了8英寸对6英寸的结构性替代烈度与出海AI数据中心增量弹性。若天域在生态园基地率先实现8英寸外延的高良率规模化量产，其单片成本结构将大幅优化，具备在2027年行业见底回升时凭借大尺寸市占率释放巨大盈利弹性的非对称期权价值。